离子迁移测试系统

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高温高湿偏置试验方案(H3TRB测试)
产品简介: 高温高湿反偏试验 简称H3TRB,英文名称High Temperature and High Humidity Reverse Bias。在高温高湿条件下,将栅极与发射极短接,在集电极与发射极间加上设定的直流电压,同时检测直流电压与漏...

高温高湿反偏试验
简称H3TRB,英文名称High Temperature and High Humidity Reverse Bias。在高温高湿条件下,同时检测直流电压与漏电流的值的试验,在集电极与发射极间加上设定的直流电压,将栅极与发射极短接。
 
□试验对象
各种封装的二极管、半桥、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等半导体器件
 
□测试标准
IEC 60068-2-67;7MIL-STD-7500; METHOD-1038.3; GJB128; JESD22-A101; AEC-Q101
 
□测试条件
1000小时。环境温度85℃,相对湿度85%R.H,80%规格的反向电压。
 
□测试原理图如下

说明:
1)测试中。施加的电场主要用于半导体表面离子积累和极性分子的驱动力,这样能将芯片的自加热温度控制在2℃以内,一般选用80V做为测试电压,对于IGBT器件,为了避免测试过程中漏电流产生的温升降低相对湿度。 2)应用经验表明,因此引入了高压高温高湿反偏测试的讨论,许多现场失效与湿度有着不可分割的关系。随着IGBT芯片的技术更新。漏电流变的更低,对于阻断电压为1200V或更高的器件,测试电压可调整为阻断电压的80%。这样,可保证功率模块在高湿度应用情况下具有更高的可靠性。 
 
□用途
判断器件的质量好坏,进而评价其可靠性水平。
 
□试验系统构成及技术指标
由漏电流测试系统与高温高湿试验箱构成高温反偏老化试验系统,技术指标如下:

漏电流测试系统 型号:HVT-3000

标配:4个组(32通道/组)

试验电源:4个电源可选 (1个电源对应1个组);

试验电源量程:100~3000V

电压检测范围:100~3000V(分辨率1V;精度±1%)

漏电流检测范围:0~20mA(分辨率0.1fA;精度±1%)

电流检测速度:3.5秒/通道(典型)

外形尺寸:1800H×600W×1000D(mm)
高温高湿试验箱 型号:DHTH-190

内尺寸: 750H×580W×450D(mm)

外尺寸: 1830H×855W×1280D(mm)

温度范围:-40℃~150℃

温度波动度:±0.2~±0.5℃(空载)

湿度范围:10%r.h~98%r.h

湿度波动度:±1%r.h~±3%r.h(空载)

电源:AC 220V±10%;50Hz